Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    21 left arrow 39
    Wokół strony -86% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.6 left arrow 11.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.2 left arrow 7.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    39 left arrow 21
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.7 left arrow 17.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.2 left arrow 12.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1749 left arrow 3126
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania