RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
56
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2408
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link