RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
56
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2383
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link