RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
56
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2843
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link