RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
56
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2588
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9905469-144.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link