RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
73
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1609
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M471B1G73DM0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link