RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2960
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link