RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
60
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
2.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
60
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
1505
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link