RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
52
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
40
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2204
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link