RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2080
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link