RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3041
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link