Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 37
    Wokół strony 30% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.4 left arrow 12.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 9.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 10600
    Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    26 left arrow 37
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.8 left arrow 15.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 12.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2143 left arrow 3075
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania