RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
68
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
68
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1904
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link