RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
62
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2710
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link