RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2622
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link