RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3568
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link