RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1979
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link