RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
60
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1505
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link