RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2196
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link