Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Wokół strony 4% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15 left arrow 12.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 9.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    14900 left arrow 10600
    Wokół strony 1.41 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    26 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.8 left arrow 15.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 9.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 14900
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2143 left arrow 2306
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania