RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2548
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link