RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3444
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link