RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3465
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link