RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3302
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link