RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2462
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link