RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3198
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link