RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3207
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CM0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link