RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3299
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link