RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
66
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
66
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1810
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link