RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3287
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link