RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
63
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
63
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1932
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link