RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2389
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link