RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3533
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link