RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2575
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link