RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3092
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link