RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3208
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link