RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
44
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3359
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link