RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3773
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link