RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3837
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link