RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3191
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link