RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
63
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
63
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2061
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link