RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2280
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link