RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3425
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link