RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3105
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link