RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
47
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
1998
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link