RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3733
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GZM 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link