RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3033
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link