RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
85
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
85
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
1118
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link