RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
47
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2395
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link