RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3379
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link